KIC7W08FK-RTK是一款由KEC Corporation(现为KEC Aerospace)制造的功率MOSFET晶体管,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面技术制造,具备低导通电阻和高可靠性,适用于各种电源管理和转换系统。该MOSFET为N沟道增强型,适用于高效率DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大漏极电流(Id):7A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):20nC(典型)
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220F
KIC7W08FK-RTK具备多个关键特性,使其适用于高功率和高可靠性应用。首先,其漏源电压额定值高达800V,使其适用于高电压电源转换系统,如开关电源(SMPS)和逆变器。其次,导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力,可在高负载条件下稳定运行。其TO-220F封装提供良好的散热性能,适用于需要长时间稳定工作的应用。该MOSFET还具备快速开关能力,有助于降低开关损耗,提高整体系统性能。最后,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代电子设备的绿色制造要求。
KIC7W08FK-RTK广泛应用于多种高功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外,该器件也可用于照明控制、电池管理系统以及各类需要高电压、中等电流功率开关的场合。由于其高可靠性和热稳定性,它也适用于需要长时间运行且对稳定性要求较高的工业和通信设备。
KIC7W08FK-RTK的替代型号包括STP8NK80Z、2SK2143和FQP8N80C。这些型号在电气特性和封装上与KIC7W08FK-RTK相近,可在部分设计中作为替代选项。