时间：2025/12/28 15:06:17
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KIA8N60 是一款由韩国KIA半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种功率电子设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合中高功率应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：8A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.95Ω（最大1.2Ω）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大耗散功率(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-220、DPAK（根据具体型号）
KIA8N60 MOSFET具备多项优良特性，适用于多种功率应用。首先，其漏源耐压高达600V，使其能够适应高压输入环境，如AC/DC电源适配器和工业电源系统。其次，导通电阻Rds(on)在典型值下仅为0.95Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达8A的漏极电流，适用于中等功率输出设计。
在热性能方面，KIA8N60具备良好的热稳定性，最大耗散功率为50W，支持长时间高负载运行。其栅极阈值电压范围为2V~4V，适用于常见的驱动电路设计。封装形式方面，常见的为TO-220和DPAK封装，便于散热和PCB布局，适用于多种工业和消费类应用。
综合来看，KIA8N60是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，特别适合用于开关电源、LED驱动器、电机控制电路以及电池充电系统等应用场景。
KIA8N60 MOSFET主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、LED照明驱动、电池充电器以及各种工业控制设备中。其高耐压和较低的导通电阻使其在高效率电源设计中具有良好的表现，特别是在AC/DC转换和功率因数校正（PFC）电路中广泛应用。
IRF840、FQA8N60C、STP8NK60Z、2SK2141、K2142
