时间：2025/9/1 9:36:01
阅读：14
IS45S16800E-7BLA2 是一颗由 ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速、低功耗、CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于异步DRAM类别。该芯片的容量为 256K x 16 位，总共提供 4Mbit 的存储容量，广泛用于需要中等容量存储缓冲的工业和通信设备中。IS45S16800E-7BLA2 支持工作电压为 3.3V，并采用 54 引脚 TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，适合在工业温度范围内（-40°C 至 +85°C）工作，具备良好的可靠性和稳定性。该芯片的访问时间（Access Time）为 7.5ns，能够满足高速数据存取的需求，适用于网络设备、通信模块、图像处理设备以及工业控制系统等应用场景。IS45S16800E-7BLA2 兼容JEDEC标准，便于在各种系统中进行替换和升级。
类型：DRAM
容量：4Mbit (256K x 16)
电压：3.3V
封装：54-TSOP
访问时间：7.5ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行异步接口
数据宽度：16位
封装类型：TSOP
制造商：ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.)
IS45S16800E-7BLA2 是一款性能稳定、高速访问的异步DRAM芯片，其主要特性包括低功耗设计、高速访问时间以及宽温工作范围。该芯片在3.3V供电下运行，降低了系统的功耗需求，同时保持了较高的运行效率，适合长时间运行的嵌入式系统和工业设备。其7.5ns的访问时间确保了在高频系统总线下仍能保持良好的响应速度，适用于需要快速数据缓冲的应用场景。此外，IS45S16800E-7BLA2 采用了标准的16位并行异步接口，兼容多种主流的微控制器和嵌入式处理器，简化了硬件设计和系统集成。由于其支持-40°C至+85°C的宽温范围，因此可在严苛的工业和户外环境中稳定工作，增强了系统的可靠性。该芯片还符合JEDEC标准，确保了在不同系统平台中的兼容性和可替换性，降低了后期维护和升级的难度。
IS45S16800E-7BLA2 的TSOP封装形式不仅减小了PCB布局空间，而且提高了封装的散热性能和抗干扰能力，有助于提升整体系统的稳定性。该芯片在制造工艺上采用了先进的CMOS技术，确保了良好的抗噪能力和稳定性，适用于对数据完整性要求较高的应用环境。
IS45S16800E-7BLA2 广泛应用于各类需要中等容量高速缓存的电子设备中。例如，在通信设备中，该芯片可以作为数据缓存使用，提升数据传输效率和处理速度；在工业控制系统中，IS45S16800E-7BLA2 可用于存储临时运行数据或控制参数，确保系统在断电恢复后仍能迅速恢复正常运行。此外，该芯片还适用于图像采集和处理设备，如数字摄像头、工业相机和视频采集卡，用于临时存储图像数据。在嵌入式系统中，如路由器、交换机、打印机和智能仪表等设备，IS45S16800E-7BLA2 可作为主控芯片的外部存储扩展，提高系统运行效率。由于其宽温特性和高可靠性，也常被用于车载电子系统、安防监控设备以及自动化测试设备等工业环境。
IS45S16800F-7TLA2
IS42S16800E-7BLI
CY7C1041B-7ZSXC
IS45S16400B-7T
