KIA8129Z 时间：2025/12/28 15:53:49 阅读：11

KIA8129Z 是一款由KEC（韩国电子部件公司）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高功率场合。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点，适用于需要高效能和稳定性的电子系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：连续：120A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

KIA8129Z具备多项优异特性，适用于高性能电源系统。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压可达60V，适用于中高压应用环境。
　　此外，其最大连续漏极电流可达120A，适用于高功率输出场景，如电机驱动、DC-DC转换器和电源管理系统。该器件的TO-220封装形式便于散热设计，适用于通孔安装，具备良好的热稳定性和机械强度。
　　KIA8129Z还具备较高的栅极阈值电压稳定性，确保在各种工作条件下都能可靠导通和关断。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升整体系统性能。适合用于同步整流、电池管理系统、负载开关以及工业控制电路中。

应用

KIA8129Z广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池充电器、负载开关、工业自动化设备、电源适配器以及电动车控制系统等。
　　由于其高电流容量和低导通电阻，该器件在电池供电设备中尤其适用于提高能量转换效率。在工业应用中，它可用于构建高效率的功率开关电路，提升系统的稳定性和可靠性。
　　此外，KIA8129Z还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等，满足对功率器件高可靠性和高效率的需求。