时间：2025/12/28 15:20:13
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KIA7920F-RTF是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的P沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，广泛用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用场景。
类型：P沟道
最大漏极电流（ID）：-20A
漏-源极击穿电压（VDS）：-200V
栅-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.18Ω（典型值，VGS = -10V）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220F
KIA7920F-RTF具备多项优良特性，使其在高压和高电流应用中表现出色。其P沟道结构允许在高侧开关应用中实现高效的电源控制，而无需额外的电荷泵电路。该MOSFET具有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于高功率密度设计。其TO-220F封装形式具备良好的散热性能，便于在各种工业和汽车应用中安装和使用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持-10V至0V的栅极控制电压，确保了在不同驱动电路中的兼容性。此外，KIA7920F-RTF具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。
KIA7920F-RTF广泛应用于多个领域，包括工业电源、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及汽车电子系统。其高耐压和大电流能力使其成为高侧开关的理想选择，尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合。此外，该MOSFET也可用于逆变器、UPS系统和智能电表等电力电子设备中。
Si9410BDY-E3、IRFR9024N、FQP20N06L
