BUK9514-55 时间：2025/12/27 21:28:49 阅读：9

BUK9514-55是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术制造。该器件专为高效率、低损耗的电源管理应用而设计，适用于需要高电流处理能力和低导通电阻的场合。其主要特点包括极低的导通电阻（RDS(on)）、优良的开关性能以及良好的热稳定性，使其在DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和电源开关等应用中表现出色。BUK9514-55封装于无铅、符合RoHS标准的SOT78（TO-220AB）封装中，具备良好的散热性能，能够承受较高的结温，确保在严苛工作环境下的可靠性。此外，该MOSFET还具有较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少驱动损耗并提高系统整体效率。作为一款通用型功率MOSFET，BUK9514-55广泛应用于工业控制、汽车电子、消费类电源及绿色能源系统中。

参数

型号：BUK9514-55
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：55 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：150 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：300 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：2.6 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：3.3 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5 V：5.2 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　栅极电荷（Qg）典型值：155 nC
　　输入电容（Ciss）典型值：10600 pF
　　输出电容（Coss）典型值：1900 pF
　　反向恢复时间（trr）：46 ns
　　二极管正向电流（IS）：75 A
　　最大工作结温（Tj）：175 °C
　　封装类型：SOT78 (TO-220AB)
　　安装类型：通孔

特性

BUK9514-55采用了NXP先进的TrenchMOS沟槽技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其在VGS = 10 V时，RDS(on)最大仅为2.6 mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流应用场景，如高效同步整流、大功率DC-DC变换器和电机控制器。由于其超低的RDS(on)，即使在高负载条件下也能保持较低的温升，从而提升系统能效并减少对散热结构的依赖。该器件在VGS低至2.5 V时仍能有效导通（RDS(on) ≤ 5.2 mΩ），支持宽范围的逻辑电平驱动，兼容3.3 V和5 V微控制器直接驱动，增强了其在嵌入式系统中的适用性。
　　该MOSFET具有优化的栅极电荷（Qg ≈ 155 nC）和输入电容（Ciss ≈ 10600 pF），使得开关过程中的驱动功耗较低，有利于高频开关操作，提升电源系统的整体效率。同时，较低的输出电容（Coss ≈ 1900 pF）减少了关断过程中的能量损耗，进一步提高了动态性能。器件内部集成的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 46 ns），可有效降低在感性负载切换过程中产生的电压尖峰和电磁干扰，提升系统稳定性和可靠性。
　　BUK9514-55具备高达175°C的最大结温，表明其在高温环境下仍能稳定运行，适合工业级和汽车级应用需求。其TO-220AB封装不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的热传导能力，可通过外接散热片将热量快速散发，确保长时间高负载工作的可靠性。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级认证，可用于车载电源系统、电动工具和新能源车辆的辅助电源模块中。所有材料均符合RoHS和无卤素要求，满足现代电子产品对环保和安全的严格规范。

应用

BUK9514-55广泛应用于多种高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用包括大电流DC-DC降压或升压转换器，尤其在服务器电源、通信设备电源和工业电源模块中作为主开关或同步整流管使用。由于其极低的导通电阻和高电流承载能力，非常适合用于电池供电系统中的电源开关，例如电动工具、电动自行车、UPS不间断电源和储能系统中的充放电控制电路。
　　在电机驱动领域，BUK9514-55可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和低损耗的开关性能，广泛应用于自动化设备、家用电器和机器人控制系统。此外，该器件也适用于热插拔控制器、负载开关和过流保护电路，在这些应用中能够实现快速通断和可靠的电流控制。
　　由于其具备车规级认证，BUK9514-55还可用于汽车电子系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、灯光控制系统和电动助力转向（EPS）模块。在太阳能逆变器和风能变流器等绿色能源系统中，也可作为辅助电源或控制回路中的功率开关元件。其高可靠性和耐久性使其成为工业自动化、交通运输和高端消费电子领域中理想的功率MOSFET选择。