KIA7427F-RTF 时间：2025/12/28 14:40:05 阅读：13

KIA7427F-RTF是一款由KEC Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于各类电源转换器、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动电路。KIA7427F-RTF采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装，适合中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.8mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KIA7427F-RTF具有多项优异的电气和热性能特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)）特性，典型值仅为6.8mΩ，使得在导通状态下功率损耗极低，提高了整体系统的效率。其次，该MOSFET支持高达10A的连续漏极电流，能够在中高功率应用中稳定工作。其30V的漏源电压能力使其适用于多种低压电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器和电池管理系统。
　　KIA7427F-RTF采用了TO-252（DPAK）封装，具有良好的热传导性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。该封装还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和散热管理。此外，该器件具备高耐压能力和较强的抗瞬态电压冲击能力，能够在恶劣工作环境中保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持常见的5V、10V及12V驱动电路，兼容多种控制IC和驱动器。同时，其快速开关特性有助于降低开关损耗，提升系统效率。KIA7427F-RTF还具有低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），有利于实现高频开关操作，适用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。

应用

KIA7427F-RTF广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电池充放电控制器、电机驱动电路、负载开关、电源适配器以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。在消费类电子产品中，KIA7427F-RTF可用于电源管理、LED驱动和便携设备的电池供电管理。在工业应用中，它常用于电机控制、电源分配系统和嵌入式电源模块。