KIA7353P 时间：2025/12/28 16:06:07 阅读：13

KIA7353P是一款由KEC（韩国电子部件公司）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高电流能力和低导通电阻，适用于各种电子设备的开关和功率调节功能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：60V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5mΩ（典型值，取决于VGS）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）或TO-220（通孔）

特性

KIA7353P具有低导通电阻的特性，这使其在高电流应用中能够实现更低的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐压能力和良好的热稳定性，能够在高温和高压环境下可靠工作。其封装设计支持表面贴装和通孔安装，适用于多种PCB布局需求。KIA7353P还具备高抗雪崩能力和优良的短路耐受性，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。
　　在驱动能力方面，KIA7353P的栅极电荷较低，能够实现快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动电路等应用。其高电流承载能力和低RDS(on)特性也使其适用于电池管理系统和负载开关控制。此外，该MOSFET具有良好的热阻性能，能够在高温环境下保持稳定运行，延长设备寿命。