时间：2025/9/12 8:47:39
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KIA6419F-EL是一款由KEC Corporation制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：19A（在Tc=25°C）
功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
导通电阻（Rds(on)）：最大值38mΩ（在Vgs=10V，Id=9.5A）
栅极电荷（Qg）：29nC（典型值）
封装形式：TO-220F
KIA6419F-EL具备低导通电阻特性，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（19A）使其适用于中高功率应用，如电源适配器、电池充电器和DC-DC转换器。该MOSFET具有快速开关特性，可减少开关损耗，提高整体系统性能。此外，其TO-220F封装具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性的应用场景。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压冲击，提升系统的稳定性与安全性。
KIA6419F-EL常用于电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、负载开关控制、电机驱动电路、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也可用于电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、电信电源设备以及新能源汽车中的辅助电源系统。
Si9410BDY-E3、IRFZ44N、FDP6419、NTD6419NT4G、FDMS6419、TK6419K、UTC6419
