时间：2025/12/28 15:31:50
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KIA6281H是一款由Kec Corporation（现为KEC）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等特点，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等高功率应用场合。KIA6281H采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：100W
导通电阻（Rds(on)）：约4.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-252（DPAK）
KIA6281H具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流条件下损耗更低，效率更高。其高电流容量（80A）使其能够应对高功率需求的应用场景。该MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性，能够在较高的环境温度下稳定工作。此外，KIA6281H的封装设计（TO-252）提供了良好的散热性能，使得器件在高功率工作状态下仍能保持较低的温度。由于其表面贴装封装，KIA6281H适用于自动化生产流程，提高了生产效率和可靠性。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），确保了其在不同驱动电路中的兼容性。此外，KIA6281H具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统整体效率。
KIA6281H广泛应用于多种电源管理与功率控制电路中。其常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制器以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统、电源适配器和LED照明驱动电路等需要高效率功率控制的场合。由于其高电流容量和低导通电阻，KIA6281H在需要高效能、小尺寸和轻量化的现代电子设备中具有显著优势。
IRF1405, Si4410DY, FDS4410A, IPD65R360CE
