KIA50N05 时间：2025/9/11 18:23:44 阅读：18

KIA50N05是一款由Korean Electronics Technology（KET）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子系统中。该器件采用先进的平面技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高效率、高可靠性的功率转换应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：50A
　　漏源电压（VDS）：55V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大为0.018Ω（典型值0.015Ω）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55℃～+175℃
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK、TO-252等

特性

KIA50N05具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件具备较高的电流容量（50A），适合用于高功率密度设计。此外，KIA50N05具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持与多种驱动电路兼容。MOSFET采用平面工艺制造，具有优良的短路耐受能力和抗过载性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
　　KIA50N05还具备快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。其低输入电容（Ciss）和门极电荷（Qg）减少了开关损耗，从而提高系统的动态响应和能效。同时，该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，可在突发过压或感性负载切换时提供额外的保护。
　　在封装方面，KIA50N05提供多种封装选项，包括TO-220AB、D2PAK和TO-252等，适用于不同PCB布局需求。这些封装形式都具备良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。

应用

KIA50N05广泛应用于各种功率电子系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、汽车电子系统（如车载充电器和DC-AC逆变器）、工业自动化设备以及LED照明驱动电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合需要高效率和高可靠性的电源转换设计。