类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ（Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

KIA278R000FR-RTH具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗并提高整体效率。其高电流承载能力和低热阻使其在高功率密度应用中表现出色。该MOSFET的栅极设计优化，能够提供快速的开关速度，从而减少开关损耗。此外，其封装结构具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。
　　该MOSFET的内部结构采用先进的沟槽技术，提高了电流密度和耐压能力。其栅极氧化层设计增强了抗静电能力，提升了器件的稳定性和使用寿命。此外，KIA278R000FR-RTH在高温环境下仍能保持良好的性能，适用于各种工业和汽车电子系统。
　　在应用中，该MOSFET具备优异的抗瞬态过载能力，能够在短时间高电流条件下正常工作。其快速恢复特性也使其适用于高频开关电路，有助于提高系统效率并减小外围元件尺寸。此外，该器件的封装设计使其易于焊接和安装，适合自动化生产流程。

KIA278R000FR-RTH广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源分配系统以及负载开关。在服务器电源、通信设备和工业自动化控制系统中，该MOSFET可作为主开关器件，提供高效率和高可靠性。在汽车电子领域，该器件适用于车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统等应用。此外，它还可用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和LED照明驱动电路中。

SiR178DP-T1-GE3, IPB017N08N3 G, STP120NF80T4