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KIA2431 发布时间 时间:2025/12/28 14:32:34 查看 阅读:10

KIA2431是一款由Kec Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。这款MOSFET以其高效率、快速开关特性和较低的导通电阻而闻名,适合需要高电流和高频率操作的电源管理和功率转换应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃时)
  导通电阻(Rds(on)):约4.5mΩ(典型值)
  封装形式:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55℃至150℃
  功耗(Pd):80W
  漏极峰值电流(Idm):480A(脉冲模式)

特性

KIA2431具有低导通电阻,使其在高电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体效率。此外,它具备快速开关能力,有助于减少开关损耗,使其适合高频应用。该器件的栅极驱动设计简单,适用于多种常见的MOSFET驱动器电路。KIA2431还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,提高了系统的可靠性。其TO-252封装提供了良好的散热性能,适用于紧凑型电源设计。
  KIA2431的另一大特点是其较高的电流处理能力。在连续漏极电流下可达到120A,在脉冲模式下甚至可以承受高达480A的电流,使其非常适合需要高电流输出的应用,如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。此外,该器件的高耐压能力确保了在高压应用中的稳定性和安全性。

应用

KIA2431常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及各种需要高电流和高效率的功率电子应用中。

替代型号

IRF1405, STP150N3LLH6, FDS6680

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