类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：60V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：160A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 2.7mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗 (Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-263（表面贴装）

KIA1267-GR 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得在相同芯片面积下实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，KIA1267-GR 的热阻较低，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提高系统的可靠性和稳定性。
　　KIA1267-GR 还具有出色的雪崩能量承受能力，这意味着它能够在过载或短路条件下保持稳定运行，从而提高系统的鲁棒性。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同的应用环境中实现灵活的控制策略。其封装形式为 TO-263，适用于高功率密度的 PCB 设计，并且支持自动焊接工艺，提高了量产效率。
　　该器件的高开关速度也使其适用于高频开关应用，例如同步整流器、DC-DC 转换器和电机驱动电路。由于其低输入电容和低输出电容，KIA1267-GR 的驱动损耗较小，有助于进一步提升整体系统效率。同时，该 MOSFET 的封装设计也优化了热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持良好的散热能力。

KIA1267-GR 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、服务器电源、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源管理模块、工业自动化设备、汽车电子系统等。该器件的高电流能力和低导通电阻特性使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。例如，在服务器电源中，KIA1267-GR 可用于同步整流电路，以提高整体电源转换效率；在电池管理系统中，它可用于高电流的充放电控制，确保电池组的安全运行；在电机驱动电路中，该器件能够提供快速的开关响应和高效的功率传输，满足高性能电机控制的需求。此外，KIA1267-GR 也常用于高功率负载的开关控制，例如工业自动化系统中的继电器替代方案。

SiS120AN, IRFB4110, NexFET CSD17509Q5B