LBC848ALT1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管阵列(NPN晶体管阵列)芯片,广泛应用于通用逻辑电路、信号放大、开关控制等电子电路设计中。该器件内部集成了多个NPN晶体管,以减少外部元件数量,提高电路设计的紧凑性和可靠性。LBC848ALT1 采用 SOT-23 封装,适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度电路布局。
晶体管类型:NPN 阵列
集电极-发射极电压(Vce):30V
集电极-基极电压(Vcb):30V
发射极-基极电压(Veb):5V
最大集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
晶体管数量:2 对(共4个晶体管)
LBC848ALT1 拥有优异的电气性能和稳定的开关特性,广泛应用于各类电子设备中。其内部结构包含两组NPN晶体管,每组晶体管均可独立使用,适用于需要多个晶体管协同工作的电路设计。
该器件具有较高的集电极-发射极击穿电压(30V),能够承受较高的电压应力,适用于多种电源和信号处理电路。最大集电极电流为100mA,满足大多数中低功率放大和开关应用的需求。
由于其SOT-23封装形式,LBC848ALT1在PCB布局中占用空间小,适合用于高密度电路设计。同时,该封装形式也提高了器件的热稳定性和机械可靠性。
此外,LBC848ALT1的工作温度范围宽,从-55°C至+150°C,适合用于工业级和汽车电子应用环境。其存储温度范围也较宽,有助于提高器件在不同环境条件下的长期稳定性。
该晶体管阵列芯片在设计中可作为逻辑门、缓冲器、驱动器、电平转换器等使用,广泛应用于通信设备、消费电子产品、工业控制系统以及汽车电子模块中。
LBC848ALT1 主要用于以下几类电子系统和设备中:
在数字电路中,作为逻辑门、电平转换器或缓冲器使用,尤其适合需要多个晶体管配合的电路拓扑结构。
在模拟电路中,用于小信号放大,如音频放大器前端、传感器信号调理电路等。
在电源管理电路中,作为开关晶体管用于控制负载的导通与关断,例如LED驱动、继电器控制、小型马达驱动等。
在工业控制系统中,LBC848ALT1可用于PLC模块、接口电路和继电器驱动器,提供稳定可靠的开关性能。
此外,该器件也常用于通信设备中的信号处理和数据传输接口电路中,如RS-232、RS-485接口驱动电路等。
在汽车电子领域,LBC848ALT1适用于车载控制系统、车身电子模块、传感器接口电路等,满足汽车应用对温度范围和可靠性的高要求。
LBC848ALT1G, LBC848ALT1D, LBC848ALT1R, LBC848ALT3, LBC848ALT1E, LBC848ALT1V, LBC848ALT1K