KHB7D5N60F 时间：2025/9/12 14:07:50 阅读：20

KHB7D5N60F是一款由Kec Corporation（现为KIA Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压和高电流应用，具备良好的导通特性和快速开关性能。其主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类需要高效能功率开关的场合。该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：7A（Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：40W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.8Ω（当Vgs=10V时）
　　阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　封装类型：TO-220

特性

KHB7D5N60F具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其高漏源电压（600V）使其能够应用于高压环境，如电源适配器、开关电源及电机驱动系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统整体效率，从而减少散热设计的复杂度。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，可在恶劣的工作条件下保持稳定运行。KHB7D5N60F的快速开关特性也使其适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高响应速度。最后，TO-220封装提供了良好的热管理能力，确保器件在高负载下仍能维持较低的工作温度，从而提升可靠性与使用寿命。
　　在设计方面，KHB7D5N60F采用了优化的芯片结构，使得其在导通状态下的压降更低，进一步提升效率。同时，其较高的栅极电荷（Qg）值确保了在高频率操作下的稳定性，避免了不必要的振荡和损耗。该器件还具备良好的短路耐受能力，适合用于需要较高可靠性的工业控制和电机驱动系统。

应用

KHB7D5N60F广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路、LED照明驱动电源、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率开关部分。由于其高耐压和低导通电阻特性，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。例如，在电源适配器中，该器件可以作为主开关管使用，实现高效的能量转换；在电机控制中，它可用于驱动直流电机或步进电机；在LED照明系统中，它可用于调节输出电流以实现恒流驱动。此外，该MOSFET也适用于各种功率因数校正（PFC）电路和逆变器系统。