类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A（在25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：约1.2Ω（最大值）
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

KHB7D0N65F2-U/P具备多项优异的电气和热性能。首先，其650V的高耐压能力使其适用于各种高电压应用场景，确保在高压环境下的稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，提高整体系统的能效。
　　在封装方面，采用TO-220封装形式，具有良好的热管理和机械稳定性，便于安装和散热设计。该封装形式广泛应用于工业级电子设备中，具有良好的兼容性和可靠性。同时，该MOSFET的工作温度范围宽，可在-55℃至+150℃之间稳定工作，适应各种严苛环境条件下的应用需求。
　　另外，KHB7D0N65F2-U/P具备高可靠性和长寿命，能够承受频繁的开关操作和较大的电流冲击，适合用于需要高稳定性和高耐久性的功率系统。其栅极保护设计也增强了抗静电能力，提高了器件的耐用性。

KHB7D0N65F2-U/P适用于多种高功率和高频应用。常见的应用包括电源管理系统，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器和开关电源模块。由于其优异的导通性能和快速的开关特性，该MOSFET常用于高效能电源转换系统，如光伏逆变器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备的电源模块。
　　此外，该器件也可用于电机驱动和控制电路，特别是在小型电机、风扇、泵等负载的控制中表现出色。在电池管理系统中，KHB7D0N65F2-U/P可作为高边开关或低边开关，用于实现高效的能量传输和管理。
　　在消费类电子产品中，如电视、音响设备和家用电器，该MOSFET可作为功率开关器件，用于电源控制和负载切换。在汽车电子领域，该器件也可用于车载电源管理系统、电动工具和电动车控制器等应用场景。

TK11A60D, FQA7N60C, STW20NM60ND, IRFBC40