KHB4D0N65F 时间：2025/9/12 12:44:01 阅读：16

KHB4D0N65F是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率和高频开关应用。它属于N沟道增强型MOSFET，适用于电源转换、电机控制、逆变器和各种开关电源电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等
　　功率耗散（PD）：50W
　　输入电容（Ciss）：约700pF
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复型

特性

KHB4D0N65F具有低导通电阻，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该器件的高耐压能力（650V）使其适用于高电压应用，如开关电源和电机驱动器。此外，KHB4D0N65F具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，延长器件寿命并提高系统可靠性。其快速反向恢复时间（trr）减少了开关损耗，使得该MOSFET适用于高频开关操作。此外，该器件的封装形式（如TO-220或D2PAK）提供了良好的散热性能，有助于有效管理功率耗散。KHB4D0N65F还具备较高的抗浪涌能力，可承受短时间内的高电流冲击，适用于严苛的工业环境。

应用

KHB4D0N65F广泛应用于各种高功率和高频开关电路中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机控制器和负载开关。它也可用于LED照明系统、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及家用电器中的功率控制部分。由于其具备较高的耐压能力和良好的热管理性能，该MOSFET适用于需要稳定性和可靠性的工业和消费类电子产品。