时间：2025/12/28 15:49:41
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KHB20N60P是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率开关应用，例如电源转换器、马达控制器和逆变器等。这款MOSFET设计用于高效能和高可靠性，在工业和消费类电子产品中广泛应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
最大工作温度：150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值约为0.22Ω
封装类型：TO-220
KHB20N60P MOSFET具备低导通电阻的特性，有助于降低导通损耗并提高效率。此外，它具有高耐压能力，适用于需要高电压隔离的应用。该器件还具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作，同时具备快速开关特性，适用于高频开关电路。其TO-220封装形式也便于散热，提高了整体的可靠性和使用寿命。
KHB20N60P常用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动电路、UPS系统、照明镇流器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和高电流承载能力，它也适用于家电中的功率控制模块，如电磁炉和变频空调等。
K20N60F3 K20N60 K20N60D K20N60Z
