类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：48W

KHB1D9N60D-RTF/PMC 的核心特性包括其采用了 Power Integrations 的 Super Junction MOSFET 技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体系统效率。该器件的低 Rds(on) 值使其在高电流条件下也能保持较低的温升，从而增强了系统的热稳定性和可靠性。
　　此外，该 MOSFET 具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或负载突变情况下提供一定的保护作用。其栅极设计优化了驱动特性和抗干扰能力，使得在高频开关应用中更加稳定。
　　封装方面，TO-220 封装形式便于散热，并且与大多数标准电源模块的 PCB 布局兼容，适合自动化生产和安装。此外，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

KHB1D9N60D-RTF/PMC 主要应用于各类中高功率开关电源（SMPS），包括适配器、充电器、LED 驱动器、AC-DC 转换器、电机控制模块以及工业自动化设备中的电源部分。由于其高效率和高耐压特性，该器件也常用于需要高功率密度和小体积设计的场合，如笔记本电源适配器、智能家电电源系统以及电信设备供电模块。
　　在实际设计中，KHB1D9N60D-RTF/PMC 通常用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和 LLC 谐振转换器拓扑结构中，作为主开关元件，能够有效提升系统的转换效率并减少散热需求。同时，其良好的热稳定性和抗过载能力也使其适用于需要长时间连续运行的工业和商业应用。

KHB1D9N60D-RTF/PMC 的替代型号包括：STF9N60DM2、FQA9N60C、IRFBC20、SiHP085N60EF、TKA9N60W、APT08T60B、IXFH9N60P。这些型号在参数上与 KHB1D9N60D-RTF/PMC 有较高的兼容性，但在实际使用中需根据具体电路设计和散热条件进行验证。