时间：2025/5/9 18:02:44
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ATZB-24-B0R 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等场景。该器件采用增强型HEMT结构，具备极低的导通电阻和高开关速度，从而显著提高了系统的效率和功率密度。
其封装形式为行业标准的TO-263表面贴装封装，具有出色的散热性能，适用于对空间和热管理有严格要求的应用场合。
最大漏源电压：24V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.8mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：超过5MHz
工作温度范围：-40℃至+150℃
ATZB-24-B0R 具备以下突出特性：
1. 极低的导通电阻（0.8mΩ），可显著降低传导损耗。
2. 高开关频率支持（>5MHz），适合高频应用。
3. 增强型结构设计，确保仅在正栅极电压下导通，增强了系统可靠性。
4. 小尺寸TO-263封装，优化了PCB布局和热管理。
5. 宽泛的工作温度范围（-40℃至+150℃），适应各种严苛环境条件。
6. 内置ESD保护功能，提高器件鲁棒性。
ATZB-24-B0R 的典型应用场景包括：
1. 高效DC-DC转换器。
2. 小型化开关电源模块。
3. 无线充电设备中的功率级。
4. 射频功率放大器。
5. 工业自动化控制中的驱动电路。
6. 电动汽车充电设备的核心功率元件。
ATZB-24-A0R, ATZB-24-C0R
