KHB1D9N60D-RTF/P 时间：2025/9/12 10:35:50 阅读：12

KHB1D9N60D-RTF/P 是一颗功率场效应晶体管（MOSFET），主要设计用于高电压和高电流的应用。该器件采用了先进的高压DMOS技术，能够在高效率和高可靠性的条件下运行。这种MOSFET通常用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及各种功率控制设备中。它的封装形式为TO-220，便于安装和散热。

参数

类型: N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）: 600V
　　栅源电压（Vgs）: ±30V
　　连续漏极电流（Id）: 9A
　　功耗（Pd）: 40W
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　封装类型: TO-220

特性

KHB1D9N60D-RTF/P 的主要特性包括高效的功率转换能力和优异的热性能。由于其高耐压特性（600V），该器件可以在高压环境中稳定工作，适用于需要高可靠性的工业设备。此外，该MOSFET的栅极驱动设计允许较低的驱动损耗，从而提高了整体效率。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的较低功率损耗，进一步增强了能效。另外，该晶体管具有较快的开关速度，适用于高频应用，例如DC-DC转换器和逆变器系统。
　　此外，KHB1D9N60D-RTF/P 还具备良好的抗过载和短路能力，这使得它在极端工作条件下依然能够保持稳定运行。该器件的封装形式（TO-220）具有良好的散热性能，适用于需要长时间运行的高功率系统。同时，它的封装也便于焊接和安装，适用于多种电路板设计。

应用

KHB1D9N60D-RTF/P 主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种高压功率控制设备。在工业自动化和电力电子领域，该MOSFET可以用于高效能电源管理解决方案。此外，它也适合用于消费类电子产品中的电源模块，例如充电器、适配器和LED照明驱动电路。由于其优异的热性能和高可靠性，该器件也适用于需要长时间运行的设备，如不间断电源（UPS）和工业电源系统。