KHB1D0N60D-RTF/P 时间：2025/12/28 14:35:03 阅读：16

KHB1D0N60D-RTF/P是一款由KEMET公司生产的功率MOSFET晶体管，采用先进的硅技术制造，具备高效率和低导通电阻的特点。这款MOSFET设计用于高频率开关应用，适用于电源管理和电机控制等高功率场景。其封装形式为TO-220，便于散热并提高了可靠性，适用于工业控制、消费电子以及汽车电子等多种应用领域。

参数

型号：KHB1D0N60D-RTF/P
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　连续漏极电流(Id)：1.0A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5Ω
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：50W

特性

KHB1D0N60D-RTF/P是一款性能优异的功率MOSFET，具有低导通电阻和高耐压特性。其导通电阻仅为1.5Ω，能够在高电流条件下提供较低的功耗，提高整体系统的效率。该器件的漏源电压高达600V，适用于高电压应用场景，如开关电源和马达驱动器。此外，其栅极电压范围为±30V，具有较强的抗干扰能力，能够确保器件在复杂环境中稳定运行。
　　此MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业设备和汽车电子系统。其工作温度范围从-55°C到150°C，能够在极端温度条件下保持稳定性能。此外，该器件的封装设计简化了安装过程，并增强了机械强度，适用于多种PCB布局和应用环境。

应用

KHB1D0N60D-RTF/P广泛应用于多个领域，包括开关电源、DC-DC转换器、马达控制器以及照明设备。在工业自动化系统中，它可作为功率开关用于控制高电压负载。在消费电子产品中，例如电源适配器和LED驱动器，该MOSFET能够提供高效的能量转换。同时，其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器和电动工具控制模块。