时间：2025/9/12 14:58:45
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KHB019N20F1是一款由KODENSHU（古河电气工业株式会社）制造的功率MOSFET，主要用于高功率和高频率的应用。这款MOSFET具有高性能的导通特性和快速的开关能力，适用于电源转换、电机驱动以及各种工业设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
连续漏极电流（Id）：19A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.16Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Pd）：100W
KHB019N20F1具备较低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，它具有快速的开关速度，有助于降低开关损耗，从而提高整体性能。该器件的高耐压能力使其适用于各种高压环境，并且其热稳定性良好，可以在高负载条件下保持稳定运行。
这款MOSFET还采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，使其能够在高功率应用中保持较低的工作温度。同时，它具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护。
KHB019N20F1广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器以及工业自动化设备。由于其高耐压和大电流能力，它也常用于高功率LED照明系统、太阳能逆变器以及电动车控制系统中。
KHB016N20F1, KHB024N20F1
