时间：2025/12/28 15:13:06
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KHB011N40P1是一款由韩国制造商生产的大功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高电压应用场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于电源转换、电机驱动和功率放大器等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：400V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：0.45Ω（典型值）
最大功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
晶体管配置：单管
KHB011N40P1具有出色的电性能和稳定性，适用于高功率应用。其低导通电阻可有效减少功率损耗，提高系统效率。该MOSFET的高栅极击穿电压（±20V）确保了在复杂工作环境下的可靠性。此外，该器件具备良好的热稳定性和快速开关能力，使其在高频率开关应用中表现出色。
其TO-220封装提供了良好的散热性能，并且易于安装在各种电路板上，适用于工业控制、电源供应器、DC-DC转换器以及电动工具等设备中。
该MOSFET还具备较强的过载和短路保护能力，能够在极端条件下维持稳定运行。其设计考虑了电磁干扰（EMI）的优化，有助于降低系统噪声，提高整体性能。
KHB011N40P1广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机驱动器、电池充电器、LED照明系统以及工业自动化设备。由于其高耐压和大电流能力，它也常用于家电和电动工具中的功率控制模块。此外，该器件在新能源领域如太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用。
KHB013N40P1, IRF740, FQA11N40C, K2645
