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KH25U25639FZ4I-10G 发布时间 时间:2025/5/8 18:30:53 查看 阅读:3

KH25U25639FZ4I-10G 是一款由韩国厂商生产的高速 SRAM(静态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高数据吞吐量和低延迟的场景。该芯片采用了先进的制造工艺,在功耗、速度和稳定性方面表现出色。其主要用途包括网络通信设备、工业控制、图像处理等领域。

参数

类型:SRAM
  容量:256K x 36 bits
  接口类型:同步
  工作电压:1.8V
  核心电压:1.8V
  封装形式:FBGA
  引脚数:176
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  访问时间:10ns
  数据宽度:36位
  时钟频率:最高166MHz

特性

KH25U25639FZ4I-10G 具有以下显著特点:
  1. 高速性能:支持高达166MHz的工作频率,满足对实时性要求较高的应用需求。
  2. 大容量:提供256K x 36 bits的存储空间,适合复杂的计算任务。
  3. 同步接口设计:具备同步时钟功能,确保数据传输的一致性和稳定性。
  4. 超低延迟:访问时间仅为10ns,非常适合需要快速响应的应用场景。
  5. 宽温支持:能够在-40°C至+85°C的温度范围内正常工作,适用于恶劣环境下的部署。
  6. 小型化封装:采用176球FBGA封装,节省电路板空间并提高集成度。
  7. 可靠性高:经过严格测试,具有较长使用寿命和较低故障率。

应用

这款 SRAM 芯片的主要应用场景包括:
  1. 网络路由器和交换机中的数据缓冲。
  2. 工业自动化系统中的临时数据存储。
  3. 图像处理器中的帧缓存功能。
  4. 嵌入式系统的高速缓存模块。
  5. 医疗设备中的实时数据记录与处理。
  6. 军用及航空航天领域的高性能计算单元。

替代型号

KH25U25639FZ4I-12G

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