时间：2025/8/23 5:27:02
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SKIIP30NAB12T7是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，由赛米控（SEMIKRON）公司生产。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管，采用先进的封装技术，具有高可靠性、低损耗和良好的热性能。适用于各种中高功率电力电子应用，如变频器、电机驱动、可再生能源系统和工业自动化设备。
类型：IGBT模块
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：30A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
短路耐受能力：5μs
导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
反向恢复时间（trr）：约1.8μs
封装形式：SMD（表面贴装）
热阻（Rth）：约0.65K/W
工作频率：最高可达20kHz
SKIIP30NAB12T7具有多项优异的电气和机械特性，使其在各种高功率应用中表现出色。
首先，该模块采用了先进的IGBT芯片技术，具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体效率并减少了散热需求。其最大集电极-发射极电压为1200V，最大集电极电流为30A，适用于多种中高功率应用。
其次，模块内置反并联二极管，能够有效抑制感性负载产生的反向电动势，提高系统的稳定性和可靠性。此外，该模块具有良好的短路耐受能力，能够在5μs内承受高电流冲击，适用于对可靠性要求较高的工业环境。
SKIIP30NAB12T7广泛应用于多个高功率电子系统中。
SKM30NAB12T7, FF30R12KE4, IKW30N120H3
