时间：2025/12/30 12:18:31
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KH200M06G是一款由Kaihong（开鸿）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机控制等高功率应用场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和高可靠性等特点。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.8mΩ（在VGS=10V时）
封装类型：TO-264
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
KH200M06G具有多个优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高功率密度的设计。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，提高了载流能力和热稳定性，从而在高负载条件下仍能保持良好的性能。
此外，KH200M06G具有较高的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），适用于中高频开关应用，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
该器件的封装形式为TO-264，具备良好的散热性能，适用于需要高效散热和高电流承载能力的工业级应用。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行。
KH200M06G广泛应用于各类高功率电子系统中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动和功率放大器等。在新能源领域，如电动汽车（EV）充电模块、光伏逆变器和储能系统中，该MOSFET也发挥着重要作用。此外，由于其优异的导通特性和热稳定性，KH200M06G也适用于高可靠性工业设备和自动化控制系统中的功率开关模块。
SiPMOS-T200N60FG-K, IXFN200N60P, FDP200N60NM
