时间：2025/9/16 14:49:47
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PSMN4R6-60PS 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A（在 Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.6mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN4R6-60PS 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 4.6mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
该 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，具有出色的热管理和机械稳定性，能够有效应对高功率密度设计中的散热挑战。
其高电流承载能力（高达 160A）使其适用于高功率负载的开关控制，例如在服务器电源、电动工具、电动车充电器等应用中。
此外，PSMN4R6-60PS 具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了器件在恶劣工况下的可靠性和稳定性。
该器件符合 RoHS 环保标准，并具有良好的可焊性和装配兼容性，适合自动化生产流程。
PSMN4R6-60PS 主要用于需要高效功率控制的电子系统中，如同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具驱动电路、工业电机控制、负载开关、电源管理系统（PSM）等。
在服务器电源和电信电源系统中，它常被用作主开关或同步整流器，以提升电源转换效率并降低发热。
在电池供电设备中，PSMN4R6-60PS 可用于实现高效的充放电管理及负载切换控制。
此外，该器件也适用于高功率密度的功率分配系统和高电流负载的控制电路。
SiSS160DN, IPP160N6N3, PSMN5R2-60PS
