时间：2025/12/28 14:43:02
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KGT40N60KDA是一款由Kexin Semiconductor（科信半导体）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率和高电压应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于开关电源、电机控制、逆变器和电源管理等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：40A（25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.18Ω（最大值0.23Ω）
栅极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
最大功耗（Pd）：150W
KGT40N60KDA具有低导通电阻，可以减少导通损耗，提高效率。其高耐压能力达到600V，适用于中高功率的开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造，提供良好的热稳定性和可靠性。TO-247封装形式有助于提高散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，它还具备较强的抗浪涌电流能力和较高的短路耐受性，适用于各种恶劣工作环境。
KGT40N60KDA广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、照明镇流器以及各种高功率电子设备中。由于其高可靠性和优异的导通性能，该MOSFET也适用于工业自动化控制和新能源系统，如太阳能逆变器和风能控制系统。
KGT40N60KD, FQA40N60, FGP40N60
