KGT25N120NDH 时间：2025/9/12 11:25:46 阅读：20

KGT25N120NDH 是一款由KEXIN（科信）生产的高耐压、大功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和BJT的低导通压降特性，具有良好的热稳定性和短路耐受能力。

参数

类型：IGBT
　　集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　集电极电流（IC）：25A
　　栅极-发射极电压（VGE）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-247
　　短路耐受能力：6μs
　　导通压降：约2.1V（@IC=25A）

特性

KGT25N120NDH 的核心特性包括高耐压能力，其VCES电压可达1200V，使其适用于高压系统。该器件具备较低的导通压降，在25A电流下仅为约2.1V，从而提高了整体系统的能效。
　　其短路耐受能力可达6μs，具备较强的抗短路能力，有助于在异常工况下保护系统安全。此外，该IGBT具有良好的热稳定性，可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境。
　　内置的快速恢复二极管也提升了其在高频开关应用中的表现。该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能和机械强度，便于安装和维护。此外，其栅极驱动电压范围为±20V，确保在各种驱动电路中的兼容性和稳定性。

应用

KGT25N120NDH 主要用于各类高功率电力电子设备中，如工业变频器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备、电动车辆充电系统以及太阳能逆变器等。
　　在工业变频器中，该IGBT用于实现交流电机的高效调速控制；在UPS系统中，它负责直流到交流的高效能量转换，保障电力中断时的持续供电；在电焊机中，它支持高频开关操作，提高焊接质量和效率；在感应加热设备中，其高频特性可有效提升加热效率。
　　此外，该器件也广泛应用于新能源领域，如电动汽车的充电系统和太阳能逆变器，用于实现电能的高效转换与管理。