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KGT25N120NDH-U/P 发布时间 时间:2025/9/11 19:05:45 查看 阅读:43

KGT25N120NDH-U/P 是一款由KIA Semiconductor(启达半导体)制造的高电压、大电流N沟道IGBT(绝缘栅双极型晶体管),专为高效率功率转换系统设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,适用于需要高可靠性和高耐压能力的工业控制、电源转换和电机驱动应用。KGT25N120NDH-U/P采用TO-247封装,便于散热并提高系统稳定性。

参数

类型:N沟道IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):25A(TC=25℃)
  最大工作温度:150℃
  栅极-发射极电压范围:-20V至+20V
  导通压降(VCEsat):约2.1V(典型值,IC=25A)
  短路耐受能力:有
  封装形式:TO-247

特性

KGT25N120NDH-U/P具备多项优异的电气和热性能特性。其1200V的额定电压使其能够适用于中高压功率转换系统,例如变频器、不间断电源(UPS)以及感应加热设备。该IGBT在25A的额定集电极电流下仍能保持较低的导通压降(VCEsat),从而减少功率损耗并提高系统整体效率。此外,其TO-247封装设计具有良好的散热性能,确保在高负载条件下也能维持稳定工作。
  这款IGBT还具备较强的短路耐受能力,有助于在异常工作条件下保护器件免受损坏,提高系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围为-20V至+20V,兼容标准的IGBT驱动电路,便于集成和使用。KGT25N120NDH-U/P的工作温度范围宽广,最高可达150℃,适合在各种工业环境中运行。
  该器件的内部结构优化设计降低了开关损耗,使得其在高频开关应用中也能表现出色。这种特性对于提高电源系统的效率和减小系统体积具有重要意义。综合来看,KGT25N120NDH-U/P是一款高性能、高可靠性的IGBT,适用于多种高功率电子系统。

应用

KGT25N120NDH-U/P广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的电力电子设备中。其典型应用包括工业变频器、UPS不间断电源、电机驱动控制系统、感应加热设备、电焊机以及太阳能逆变器等。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性,该IGBT也适用于中高压直流电源转换系统和工业自动化控制设备。此外,其良好的热稳定性和短路保护能力使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行,适合用于对系统可靠性要求较高的场合。

替代型号

IKW25N120CS6, FG25N120D, FGA25N120AND

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