时间：2025/7/24 18:38:16
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KGT25N120KDA是一款由KIA Semiconductor生产的高功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于高电压和高电流的功率电子设备中。这款IGBT具有优异的导通和开关性能，适用于诸如电机驱动、电源转换和工业自动化系统等应用。KGT25N120KDA采用TO-247封装形式，具备良好的热性能和机械稳定性，能够有效满足工业级工作环境的需求。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
最大集电极电流(Ic)：25A
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-247
导通压降：约2.1V
短路耐受能力：支持
热阻(Rth)：约0.65℃/W
输入电容(Cies)：约1800pF
KGT25N120KDA具有优异的导通压降和低开关损耗，使其在高频率开关应用中表现尤为出色。该器件的短路耐受能力增强了其在严苛环境下的可靠性，适用于电机控制、逆变器和UPS系统等高要求应用。此外，该IGBT的热阻较低，能够有效散热，从而提高整体系统的稳定性。
此IGBT还具备较高的工作温度耐受能力，可在高达150℃的环境下正常工作，进一步提升其在工业应用中的可靠性。其TO-247封装不仅提供良好的热管理，还简化了安装和散热器的适配。此外，KGT25N120KDA的输入电容较低，有助于减少高频开关过程中的能量损耗，从而提高系统的整体效率。
KGT25N120KDA广泛应用于电机驱动、工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种高功率开关电源系统。由于其优异的电气性能和稳定性，该器件在需要高可靠性和高效能的工业和电力电子设备中被广泛采用。
SKM25GB12T4, IRGP50B60PD1STRL
