晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：100 mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益（hFE）：110 ~ 800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　安装类型：表面贴装

DTA114YM 8K/R 是一款通用型NPN晶体管，具有良好的高频特性和稳定的工作性能。
　　该晶体管的增益（hFE）范围宽广，从110到800，适用于不同放大需求的应用场景。
　　其高频特性使其适用于射频（RF）和中频（IF）放大电路，以及高速开关电路。
　　采用SOT-323封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，节省空间并提高装配效率。
　　该晶体管具备较高的最大工作电压（50V），可在多种电压条件下稳定工作。
　　在功耗方面，DTA114YM 8K/R 的最大功耗为100mW，确保在小型封装下仍具备良好的散热能力。
　　由于其优异的性能和广泛适用性，DTA114YM 8K/R 被广泛用于消费类电子产品、便携式设备、工业控制、通信模块等领域。
　　此外，该晶体管具备良好的温度稳定性，可在较宽的温度范围内工作，最大工作温度可达150°C，适用于高温环境下的应用。
　　DTA114YM 8K/R 的设计兼顾了性能与成本，是一款性价比高且可靠性强的通用晶体管解决方案。

DTA114YM 8K/R 适用于多种电子电路设计，尤其是在需要小信号放大和开关控制的场合。
　　常见的应用包括音频放大器前级、信号处理电路、电源管理模块、LED驱动电路以及传感器接口电路。
　　在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、无线耳机和可穿戴设备中，该晶体管可用于射频信号放大和开关控制。
　　在工业控制领域，DTA114YM 8K/R 可用于PLC模块、继电器驱动、传感器信号调理等应用。
　　通信设备方面，该晶体管常用于无线通信模块、射频前端电路和数据传输接口电路。
　　此外，由于其封装小巧、功耗低，DTA114YM 8K/R 也常用于电池供电设备和低功耗系统中，帮助延长设备续航时间。
　　对于需要高频响应的电路设计，如无线发射和接收模块，DTA114YM 8K/R 也能提供稳定的性能支持。

2N3904, BC847, 2N2222A, PN2222A, MMBT3904