型号：TSP10N65M
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：10A
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：典型值0.72Ω，最大值0.95Ω
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs @100°C：最大值约1.4Ω
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）@400V Vds, 10V Vgs：典型值58nC
　　输入电容（Ciss）@25V Vds：典型值1100pF
　　输出电容（Coss）@25V Vds：典型值190pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值46ns
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值115nC
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP、TO-247

TSP10N65M采用ST先进的MDmesh? M系列超级结技术，这种结构通过精确调控P型和N型掺杂区域的交替排列，显著降低了单位面积下的导通电阻，同时维持了高击穿电压能力。这一技术优势使得器件在650V耐压等级下实现了极低的Rds(on)，有效减少了导通期间的能量损耗，提高了整体电源系统的能效水平。相较于传统平面或沟槽结构MOSFET，超级结架构在高频应用中表现出更优的性能平衡，尤其适合用于连续导通模式（CCM）PFC电路等对效率要求严苛的应用场景。
　　该器件具有较低的总栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，能够支持更高的开关频率运行而不会显著增加驱动损耗。此外，较低的输入和输出电容也有助于减小开关瞬态过程中的电压和电流应力，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。这些特性共同作用，使TSP10N65M成为追求小型化、高功率密度电源设计的理想选择。
　　另一个关键特性是其优异的反向恢复行为。虽然TSP10N65M为标准N沟道MOSFET，但其体二极管经过优化，在关断时表现出相对温和的反向恢复特性，减少了由此引发的电压尖峰和振荡风险。这对于桥式拓扑或双管正激等存在体二极管导通需求的电路尤为重要，有助于提高系统可靠性和降低EMI滤波成本。
　　热稳定性方面，TSP10N65M具备良好的热阻特性，配合适当的散热措施可长时间稳定工作于高温环境。其宽泛的工作结温范围（最高达150°C）使其适用于工业级和户外应用场景。同时，器件通过了AEC-Q101等可靠性测试标准，具备较强的抗湿热、抗机械应力和长期老化能力，保障产品生命周期内的持续性能表现。

TSP10N65M广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高功率密度的设计中发挥着重要作用。典型应用包括离线式AC-DC电源适配器、笔记本电脑充电器、手机快充电源模块以及工业级开关电源（SMPS）。在这些应用中，TSP10N65M常被用作主开关管或PFC升压开关管，凭借其低导通电阻和优良的开关特性，帮助实现80 PLUS钛金/铂金级别的超高能效标准。
　　在LED照明领域，特别是大功率LED驱动电源中，TSP10N65M可用于隔离型反激（Flyback）、LLC谐振变换器或非隔离升降压拓扑中，提供稳定的直流输出并满足严格的谐波电流限制要求。其高耐压特性允许直接连接整流后的母线电压，简化前端电路设计。
　　此外，该器件也适用于光伏微逆变器、UPS不间断电源、电动工具电池充电系统以及家用电器中的变频控制单元。在这些应用中，TSP10N65M不仅承担能量转换功能，还需应对复杂的负载变化和电网波动，因此其高鲁棒性和抗干扰能力显得尤为关键。得益于其良好的热管理和失效保护特性，系统可在恶劣环境下长期可靠运行。
　　对于设计工程师而言，TSP10N65M的标准化封装形式使其易于替换现有方案中的同类器件，加快产品开发周期。同时，ST官方提供的SPICE模型、参考设计和热仿真数据也为系统级优化提供了有力支持，便于进行电路验证与性能评估。

STW10N65M
　　STP10N65M
　　IPD10N65S