时间：2025/9/11 18:54:04
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KGT15N135KDH是一款由KEXIN ELECTRONICS制造的N沟道MOSFET，适用于高功率和高频应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的热管理和电气性能，广泛用于电源转换器、电机控制和工业自动化系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1350V
最大漏极电流（Id）：15A（Tc=25℃）
最大栅极电压（Vgs）：±30V
最大功耗（Ptot）：150W
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-247
KGT15N135KDH具有优异的导通特性和低开关损耗，使其在高功率应用中表现出色。其高耐压能力（1350V）和较低的导通电阻（0.45Ω）确保了器件在高负载条件下仍能保持稳定性能。此外，该MOSFET具备良好的抗热阻能力和高可靠性，能够在严苛环境中长期运行。器件的栅极设计优化了驱动特性，减少了开关延迟和能量损耗，同时增强了抗干扰能力，使其适用于高频开关电路。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，有助于提高系统的整体安全性。
在制造工艺方面，KGT15N135KDH采用了先进的硅基技术，确保了器件的稳定性和一致性。TO-247封装提供了良好的散热性能，使得器件在高功率密度设计中仍能保持低温运行。这种MOSFET还具备较高的抗静电能力，降低了在运输和使用过程中因静电放电而导致损坏的风险。
KGT15N135KDH广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）、变频器以及电机驱动系统。它也常用于LED照明驱动器、太阳能逆变器及电动汽车充电设备中的功率转换电路。此外，在高频开关电源和DC-DC转换器中，该器件也能提供高效、稳定的性能表现。
KGT15N135KD、KGT15N120KDH、KGT15N140KDH
