集电极-发射极击穿电压：1200V
　　集电极电流（最大）：15A
　　栅极-发射极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-247
　　导通压降（典型值）：2.1V
　　短路耐受能力：5μs

KGT15N120NDS具备优良的开关性能，能够实现快速的开通和关断，从而降低开关损耗，提高整体系统的效率。其高短路耐受能力确保在异常工况下仍能保持稳定运行，避免器件损坏。此外，该IGBT采用先进的硅片技术和封装设计，具有良好的热传导性能，能够在高功率密度环境下长时间稳定工作。其栅极驱动电路设计简单，易于与驱动IC或控制电路配合使用，提高了系统的集成度和可靠性。在高温环境下，该器件仍能保持稳定的电气性能，适应复杂的工业应用环境。
　　KGT15N120NDS还具备较高的短路电流承受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不发生损坏，提高了系统的安全性和稳定性。其优化的芯片结构设计降低了电磁干扰（EMI），有助于满足电磁兼容性要求。该器件的封装采用高绝缘材料和结构设计，确保在高电压应用中的安全性和可靠性。此外，KGT15N120NDS的导通压降较低，有助于降低导通损耗，提高能效，减少散热需求，适用于高效率电源和电机控制系统。

KGT15N120NDS广泛应用于各种电力电子设备中，包括变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、电焊机、感应加热设备、电动汽车充电系统和工业自动化控制设备等。在电机控制应用中，该器件能够提供高效的功率转换，确保电机运行的平稳性和高效性。在电源系统中，KGT15N120NDS可用于DC-AC逆变器、AC-DC整流器和DC-DC转换器等拓扑结构，实现高效的能量转换。在新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中，该器件也可发挥重要作用，提升系统的整体效率和稳定性。

SKM150GB12T4, FGA25N120ANTD, IKW25N120H3