NSSW206T 时间：2025/9/11 4:18:15 阅读：7

NSSW206T 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频率和高增益应用，广泛应用于射频（RF）放大器、低噪声放大器以及其他高频电路中。其小信号增益带宽积高，能够在较高的频率下保持良好的性能，使其成为通信和射频前端设计中的理想选择。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大基极-发射极电压（Veb）：5 V
　　最大耗散功率（Ptot）：300 mW
　　电流增益带宽（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

NSSW206T 的主要特性包括高电流增益、低噪声系数和优良的高频响应。其高电流增益在低电流工作条件下依然保持稳定，适用于需要高灵敏度的信号放大应用。此外，该晶体管具有较低的基极电阻和集电极串联电阻，有助于降低高频应用中的信号损耗，提高放大器的效率。器件采用SOT-23小型封装，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性。在射频应用中，NSSW206T 能够提供稳定的增益和低失真性能，适用于无线通信、FM接收器和数据传输系统。
　　该晶体管的另一个重要特性是其低噪声性能，这使其非常适合用于前端低噪声放大器（LNA）设计。在微弱信号放大场景中，如射频接收器和传感器信号调理电路，低噪声系数能够显著提升系统的信噪比。此外，其高频特性也支持在UHF和VHF频段的应用，满足多种通信标准的需求。