时间：2025/9/11 19:11:54
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KGF30N110NRH-U/P 是一款高压、大电流功率MOSFET，适用于高功率密度和高效率的电力电子应用。该器件采用先进的硅技术，具有较低的导通电阻和出色的热性能，能够在高电压和高电流条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：1100V
连续漏极电流(Id)：30A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.12Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：约4.5V至6.5V
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：约200W（取决于散热条件）
KGF30N110NRH-U/P 的设计使其在高电压和高电流应用中表现出色。其低导通电阻可以显著减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能，有助于提高系统的可靠性和寿命。该MOSFET的封装设计有助于良好的散热，适用于高功率应用。器件的栅极驱动特性也经过优化，可以在较宽的栅极电压范围内提供稳定的性能，适用于多种开关电源、电机驱动和逆变器等应用。
该MOSFET广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、太阳能逆变器和工业自动化设备等需要高压、大电流控制的场合。由于其高可靠性和热稳定性，特别适用于对效率和散热要求较高的应用环境。
SGH10N110RPHS4-TM, KGF30N110NRHG, IXFH30N110Q
