时间：2025/8/25 5:49:46
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FTD02N60C 是一款由Fastron（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率和高效率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和开关电源等电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）@25°C：2A
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
导通电阻（RDS(ON)）：约3.5Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：18nC（典型值）
漏极电容（Coss）：50pF（典型值）
FTD02N60C 采用先进的平面工艺制造，具备出色的热稳定性和电流处理能力。其高耐压特性（600V VDS）使其适用于高电压应用，如开关电源和功率因数校正电路。该MOSFET的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）可实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。
FTD02N60C 还具有良好的热性能，TO-220封装提供了良好的散热能力，可在高负载条件下保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），提高了其在不同应用环境下的兼容性。此外，其内部结构设计优化了短路耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
该MOSFET适用于多种工业和消费类应用，如电源适配器、LED驱动、马达控制、逆变器和电池管理系统等。其设计也符合RoHS环保标准，满足现代电子产品的环保要求。
FTD02N60C 广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
? 开关电源（SMPS）中的初级或次级侧开关元件
? DC-DC转换器，如Boost、Buck和Flyback拓扑结构
? LED照明驱动电路
? 工业自动化和电机控制电路
? 电池管理系统（BMS）
? 功率因数校正（PFC）模块
? 家用电器中的功率控制部分
? 逆变器和不间断电源（UPS）系统
? 汽车电子系统中的高压直流转换模块
由于其高耐压和良好的热稳定性，FTD02N60C 特别适合在高频率和高效率要求的应用中使用。
FDPF02N60C, FQA02N60C, IRF02N60C, STF02N60DM2
