漏源电压（VDS）：1350V
　　漏极电流（ID）：25A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：<1.3Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

KGF25N135NDH-U/P MOSFET具备多个显著的特性，首先是其高耐压能力，VDS达到1350V，使其能够在高电压环境下稳定工作，适用于高压电源转换系统。其次，该器件的导通电阻较低，通常小于1.3Ω，这意味着在导通状态下的功率损耗较小，提高了整体系统的效率。此外，KGF25N135NDH-U/P具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，最高工作温度可达+150°C，确保了在恶劣工作条件下的可靠性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够实现高频操作，减少开关损耗，提高系统的响应速度。栅源电压范围为±30V，提供了较大的控制灵活性，允许使用不同的驱动电路设计。KGF25N135NDH-U/P的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热器的连接，从而进一步提高器件的热管理能力。
　　此器件还具有较高的短路耐受能力，在瞬态过载情况下能够保持稳定运行，减少因意外过载而导致的故障风险。此外，KGF25N135NDH-U/P的制造工艺确保了其在高电压和高电流下的稳定性和可靠性，适用于对功率要求较高的工业和电力电子应用。

KGF25N135NDH-U/P MOSFET广泛应用于各种高功率电子系统中，如工业电源、逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、电焊设备以及高功率LED驱动电路。由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。在太阳能逆变器和风能转换系统中，KGF25N135NDH-U/P可用于DC-AC转换电路，实现高效的能量转换。在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET可用于高功率电机驱动电路，提供稳定可靠的开关控制。此外，该器件还可用于高功率开关电源（SMPS）中，作为主开关元件，提高电源的效率和稳定性。

SKM25GB120D, IXFN26N135P, FGA25N135D