KF9N25D-RTF/HS 时间：2025/9/12 13:57:32 阅读：30

KF9N25D-RTF/HS是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换应用而设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池管理系统等场合。KF9N25D-RTF/HS采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KF9N25D-RTF/HS具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其250V的漏源击穿电压适用于中高压应用，确保在复杂工况下的稳定运行。
　　该器件采用先进的沟槽技术，优化了导通特性和开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。TO-252封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　此外，KF9N25D-RTF/HS具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工况下的可靠性。其栅极设计具有良好的抗干扰能力，能够在高频开关应用中保持稳定性能。
　　该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费类电子产品，具备较强的市场兼容性和应用灵活性。

应用

KF9N25D-RTF/HS广泛应用于各类电源管理系统中，如开关电源、AC-DC适配器、DC-DC转换器以及LED驱动电源等。其高耐压和低导通电阻特性使其在电机控制、电池充电器和逆变器系统中表现出色。
　　在工业自动化控制领域，该器件可用于驱动继电器、电磁阀和小型电机等负载。同时，KF9N25D-RTF/HS也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等新能源设备中，提供高效可靠的功率控制解决方案。
　　由于其良好的热稳定性和封装适应性，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载逆变器等应用场合。