时间：2025/12/28 14:40:43
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KF8N60P是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等高电压高电流的应用中。该器件采用先进的平面工艺技术，具有优良的导通电阻和开关特性，适用于各种高效率的电源管理场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
漏-源电压（VDS）：600V
栅-源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω（在VGS=10V时）
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
KF8N60P具备出色的热稳定性和低导通电阻，使其在高温环境下也能保持稳定的工作性能。该MOSFET的高耐压特性使其能够适应600V的高压应用，同时具备快速开关能力，有助于提高电源转换效率。
此外，KF8N60P采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。其坚固的结构设计和高可靠性使其在工业控制、电源适配器、LED驱动电源等应用中表现优异。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在复杂电磁环境中稳定运行。KF8N60P的栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V之间的驱动电压，便于与各种驱动电路匹配。
KF8N60P主要用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC降压/升压模块、电机驱动控制、LED照明电源、家电电源管理等场合。由于其高电压和中等电流的特性，它也常用于工业自动化设备和小型电源系统中。
STP8NM60ND, FQA8N60C, IRF8N60BFD
