晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　频率（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益（hFE）：110 至 800（根据工作条件）

LDTC113ZET1G 的最大特点之一是其高频率响应能力，使其非常适合用于射频（RF）和高速开关应用。其高频特性结合低噪声设计，使其成为放大器电路的理想选择。此外，该晶体管的封装为 SOT-23，这是一种小型化封装，非常适合在空间受限的设计中使用。
　　另一个显著的特性是其较高的电流增益（hFE），其范围为110至800，具体取决于工作电流和电压条件。这种宽范围的增益使其能够灵活地用于各种放大和开关电路设计。
　　LDTC113ZET1G 还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。其额定集电极-发射极电压为50V，允许其在较高的电压环境中使用，而不会影响性能或可靠性。
　　此外，该器件的低饱和电压（Vce_sat）确保了在开关应用中较低的功率损耗，从而提高了整体效率。

LDTC113ZET1G 主要用于需要高频率操作和低功耗的电路中，如射频放大器、前置放大器、音频放大器、开关电路和逻辑电平转换器。由于其优良的电气性能，该晶体管也广泛应用于消费类电子产品、汽车电子系统、工业控制设备和通信设备。
　　在射频应用中，LDTC113ZET1G 可用于构建高频放大器和振荡器，提供良好的信号增益和稳定性。在音频应用中，它可用于前置放大器或小型音频放大电路，提供清晰的音质输出。
　　此外，由于其封装小巧，该晶体管也常用于便携式设备和嵌入式系统中，如移动电话、无线传感器和智能穿戴设备。在这些应用中，其高频响应和低功耗特性能够有效延长电池寿命并提高整体性能。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904