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KF8N60F-U/PSF 发布时间 时间:2025/9/11 15:54:39 查看 阅读:24

KF8N60F-U/PSF是一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于高效率电源转换和开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子设备中。KF8N60F-U/PSF通常采用先进的平面工艺制造,确保了器件在高频开关条件下的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):8A
  最大漏-源电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为1.2Ω(具体数值可能因不同厂家而异)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
  最大工作温度:150℃
  封装类型:TO-220或DIP-8(根据具体制造商)
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

KF8N60F-U/PSF具有低导通电阻,这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。其高耐压能力(600V)使其适用于高电压环境,如工业电源和马达驱动器。此外,该器件具备良好的热稳定性,即使在高负载条件下也能保持稳定的性能。KF8N60F-U/PSF的封装设计有助于良好的散热,确保在高功率应用中的长期可靠性。其快速开关特性也使其适用于高频开关电路,从而减小外部滤波元件的尺寸,提高系统响应速度。此外,该MOSFET还具备过热保护和短路保护功能,进一步增强了系统的安全性与稳定性。

应用

KF8N60F-U/PSF广泛应用于各类电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、马达控制模块、LED驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备。在这些应用中,它主要用于实现高效的功率转换和精确的负载控制。此外,它也常用于消费类电子产品和工业控制系统中的高电压开关电路,确保系统的稳定运行和高效能表现。

替代型号

STF8N60K3, FQA8N60C, 2SK2545, KF8N60F, STP8NK60Z

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