BZX55C82是一款由NXP Semiconductors生产的硅单向齐纳二极管,主要用于电压调节和电路保护。该器件属于BZX55C系列,具有稳定的齐纳电压、低动态阻抗和良好的温度稳定性,适合在电源管理、稳压电路以及信号调节等应用中使用。BZX55C82采用小功率SOD-123封装,适合表面贴装工艺。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):82V(@ Izt = 5mA)
最大耗散功率(Ptot):300mW
最大齐纳电流(Izmax):50mA
动态阻抗(Zzt):约50Ω(@ Iz = 5mA)
反向漏电流(IR):≤ 100nA(@ VR = 10V)
工作温度范围:-65°C ~ +150°C
存储温度范围:-65°C ~ +150°C
封装类型:SOD-123
BZX55C82是一款高性能的齐纳二极管,具有出色的电压稳定性,能够在宽电流范围内保持恒定的齐纳电压。其动态阻抗较低,有助于减小电压波动,提高电路的稳定性。该器件的最大耗散功率为300mW,能够在5mA至50mA的齐纳电流范围内正常工作,适应性强。
此外,BZX55C82的反向漏电流非常低,在10V反向电压下不超过100nA,这使得它在低功耗和高精度的应用中表现出色。其SOD-123封装形式不仅体积小巧,而且便于在PCB上进行表面贴装,适用于自动化生产流程。
该齐纳二极管具有良好的温度稳定性,在-65°C至+150°C的工作温度范围内性能稳定,适用于各种工业和消费类电子设备。其结构坚固,可靠性高,能够承受较高的热应力和机械应力。
BZX55C82广泛应用于需要电压调节和保护的电路中,例如电源适配器、稳压电路、电池管理系统和信号调节电路。在传感器接口电路中,它可以用于提供稳定的参考电压。此外,该器件也常用于过压保护电路中,以防止瞬态电压对后续电路造成损害。在工业自动化和通信设备中,BZX55C82常用于构建基准电压源和电压监控电路。
BZX55C82可以使用其他82V齐纳二极管作为替代,如1N4746A(DO-41封装)、MMBZ5267B(SOT-23封装)或SMBJ82A(SMB封装)。在选择替代型号时,需注意封装形式、功率耗散能力和工作电流范围是否符合具体应用需求。