KF7N80F 是一款由Kexin(科信)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源、电机控制、DC-DC转换器等高功率场合。该器件采用先进的高压MOSFET制造工艺,具有低导通电阻、高耐压、高效率和良好的热稳定性等特点。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大漏极电流(Id):7A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220、TO-251、TO-252等
KF7N80F 具有出色的电气性能和可靠性,适用于多种高电压、高功率的应用场景。
首先,其最大漏源电压可达800V,能够在高压环境下稳定工作,适用于高电压电源和开关电源设计。此外,该MOSFET的最大栅源电压为±30V,具备较强的抗过压能力,有助于提升系统稳定性。
其次,KF7N80F 的导通电阻典型值为1.2Ω,这在同类器件中属于较低水平,有助于降低导通损耗,提高整体效率。较低的导通电阻还可以减少发热,提高系统的热稳定性。
该器件的最大连续漏极电流为7A,在短时间脉冲条件下可承受更高的电流,具备良好的过载能力。结合其较高的热稳定性,KF7N80F 在高功率应用中表现出色,适用于电机控制、电源转换等需要高可靠性的场景。
KF7N80F 提供多种封装形式,如TO-220、TO-251、TO-252等,便于根据实际电路需求选择合适的封装,提高电路板设计的灵活性和空间利用率。
最后,KF7N80F 的工作温度范围为-55℃至+150℃,可在较宽的温度范围内稳定工作,适用于各种工业环境,包括高温和低温条件下的应用。这种宽温度适应性进一步增强了其可靠性。
KF7N80F 主要用于需要高压、高效率和高可靠性的电子系统中。
首先,在开关电源(SMPS)中,KF7N80F 作为主开关器件,能够实现高效的能量转换,适用于AC-DC和DC-DC电源转换电路。其低导通电阻和高耐压特性,使其在高电压输入条件下仍能保持良好的效率和稳定性。
其次,在电机驱动和控制电路中,KF7N80F 可作为功率开关使用,控制电机的启停、调速和方向切换。其较高的耐压和过载能力,使其在电机启动时承受较大的冲击电流,保证系统的稳定运行。
此外,KF7N80F 还可用于LED驱动电源、充电器、逆变器、工业自动化设备和智能家电等产品中,提供高效、可靠的功率控制方案。
由于其良好的热管理和宽温度工作范围,KF7N80F 也非常适合在工业控制、通信设备、安防系统等需要长时间稳定运行的设备中使用。
FQP7N80、IRF7N80、STF7N80K5、2SK2143