时间：2025/5/29 0:44:56
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UT4101G-AE3-R 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款器件通常被用于需要快速开关和低损耗的应用中，例如适配器、充电器以及 DC-DC 转换器等领域。
类型：N-Channel MOSFET
工作电压(Vds)：60V
漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：98nC
功耗(Ptot)：75W
封装形式：TO-220-FP
UT4101G-AE3-R 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 2.5mΩ，从而减少传导损耗并提高效率。
2. 高电流承载能力，最大漏极电流可达 50A，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，栅极电荷较低（Qg=98nC），有助于降低开关损耗。
4. 具备良好的热稳定性，确保长时间运行时的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 支持多种保护功能集成，例如过流保护和短路保护。
UT4101G-AE3-R 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 各类 DC-DC 转换器模块。
5. 大功率 LED 驱动电路。
6. 充电器及适配器的设计。
UT4101G-AE3-RD, IRF540N, FDP5500
