时间：2025/12/28 15:07:08
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KF7N80是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理和功率放大电路中。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于高效率电源转换和控制应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（Vds）：800V
最大栅极电压（Vgs）：±30V
最大漏极电流（Id）：7A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约1.0Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、DPAK（取决于具体制造商）
KF7N80具备一系列优异的电气特性，包括高耐压、低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性。这些特性使其能够在高电压和中等电流条件下提供高效能表现。此外，KF7N80采用标准的TO-220或DPAK封装，便于在各种电路设计中进行安装和散热管理。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性，同时具备良好的抗过载和短路保护能力。其内部结构设计优化了开关损耗，提高了系统整体效率，并减少了外部缓冲电路的需求。
由于其高可靠性和稳定性，KF7N80适用于多种工业和消费类电子产品，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动器以及家电中的功率控制模块。
KF7N80广泛应用于需要高电压控制和中等功率处理的场合。常见用途包括开关电源（SMPS）中的主开关元件、DC-DC降压或升压转换器、LED照明驱动电路、电机控制模块以及各类家用电器中的功率调节系统。此外，它也可用于逆变器、充电器和工业自动化设备中的电源管理部分。
FQP7N80、IRF7N80、STF7N80K5、TK7A80D、2SK2141
