时间：2025/9/12 13:05:26
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KF7N65F 是一款由可飞（KF）半导体公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器以及其他需要高效功率开关的场合。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合在中高功率电子系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7A（在25℃）
脉冲漏极电流(Idm)：28A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.85Ω（最大值1.2Ω）
功率耗散(Pd)：83W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220、TO-252等
KF7N65F MOSFET具备多项优异特性，适用于多种功率电子应用。其高耐压特性（650V Vds）使其适用于高电压环境下的开关操作，同时具备良好的击穿电压稳定性，防止在高压突波下发生损坏。
该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。这对于需要长时间运行的电源设备尤为重要，有助于降低发热量并提升能效。
此外，KF7N65F具有较高的栅极阈值电压（Vgs(th)），通常在2V至4V之间，使其在正常工作状态下不易误触发，提升了电路的稳定性与可靠性。
该MOSFET的封装形式（如TO-220）具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。在使用过程中，适当的散热片和散热设计可以进一步提升其在高电流条件下的稳定性。
该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工况下维持一定的工作能力，为系统提供更高的安全性和容错能力。
KF7N65F的结构设计优化了开关性能，使其在高频开关应用中表现出色。这使得它在DC-DC转换器、PWM控制电路、LED驱动电源等领域具有广泛的应用潜力。
KF7N65F主要应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、LED照明驱动电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、充电器和适配器等。在这些应用中，KF7N65F凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，能够实现高效、稳定的功率转换与控制。例如，在开关电源中，该MOSFET作为主开关器件，负责高频通断以实现电能转换；在电机控制电路中，它用于控制电机的转速和方向；在LED驱动中，它用于实现恒流控制，提高光效和寿命。此外，该器件也可用于电池管理系统、工业自动化设备、家电控制模块等多种电子系统中，满足不同应用场景对功率控制的需求。
STF7NM65FD, FQA7N65, FDPF7N65FS, KF8N65F
